来源:The Asahi Shimbun日本首相岸田文雄(左三)在参观 Rapidus公司新工厂的规划用地后与Rapidus公司董事长东哲郎(左二)合影。照片拍摄于7月24日,地点为北海道千岁市。日本首相岸田文雄加倍支持国内下一代芯片的生产,并承诺提供政府资金。岸田文雄于近日参观了Rapidus公司半导体工厂后表示:“我们需要继续扩大对半导体和人工智能技术的投资。”他解释说,政府将推动立法,通过增
了解详情 2025-03-15
来源:通州政府网7月19日上午,松煜科技(南通)有限公司光伏、半导体设备及零部件制造项目举行开工仪式。松煜科技(南通)有限公司成立于2023年12月,主要从事太阳能工艺设备、半导体工艺设备、工艺炉热工设备的研发、生产及销售。此次开工的一期项目总投资2亿元,总建筑面积约2.2万平方米,致力于打造高端装备智能化工厂。该项目是松煜为实现中长期战略目标而实施的重要举措,也对提升技术创新能力、强化综合竞争力
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随着日本准备进口其首批极紫外(EUV)光刻机,作为唯一技术提供商的ASML计划大幅增加其当地员工。据日媒报道,ASML计划到2026年将其日本子公司的员工人数扩大到600人,比目前的员工人数增加50%。这一增长是由Rapidus、美光和台积电子公司JASM等在日本引入EUV系统推动的。Rapidus将于2024年底在北海道千岁市建成其第一座晶圆厂,并将引进ASML的EUV光刻系统以建立其试点生产线
了解详情 2025-03-15
来源:Digitimes Asia半导体行业传统上是在纳米尺度上进行的,而现在正将边界推向更小的“埃”尺度(十分之一纳米),中国台湾国立成功大学的一支创新团队已经制作出自组装设备,实现了这一前所未有的精度。他们的突破性方法可以使纳米凹槽内的微小半导体分子自动有序排列。突破瓶颈成大材料系助理教授徐邦昱(Hsu Bang-Yu)介绍,目前半导体制程是依赖于通过高真空外延设备,在微小衬底上生长晶体,并精
了解详情 2025-03-15
来源:III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构,以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中,III-V Epi 首席技术官兼英国阿斯顿光子技术研究所 (AIPT) 光子学教授 Richard Hog
了解详情 2025-03-14